Cos'è il modulo IGBT?

Il transistor bipolare a gate isolato IGBT è un dispositivo semiconduttore di potenza completamente controllato in tensione composto composto da BJT (transistor bipolare) e MOS (transistor ad effetto di campo a gate isolato). Presenta i vantaggi sia dell'elevata impedenza di ingresso del MOSFET che della bassa caduta di tensione di GTR. La tensione di saturazione di GTR è ridotta e la densità di trasporto di corrente è elevata, ma la corrente di pilotaggio è relativamente elevata. La potenza dell'unità MOSFET è molto ridotta, la velocità di commutazione è elevata, ma la caduta di tensione di accensione è elevata e la densità di trasporto di corrente è ridotta. IGBT combina i vantaggi dei due dispositivi precedenti, con bassa potenza di pilotaggio e ridotta tensione di saturazione.